Продукція > ONSEMI > UF4C120053K3S
UF4C120053K3S

UF4C120053K3S onsemi

UF4C120053K3S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: 1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1117.25 грн
30+665.57 грн
120+577.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF4C120053K3S onsemi

Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UF4C120053K3S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UF4C120053K3S UF4C120053K3S onsemi UF4C120053K3S-D.PDF SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K3S UF4C120053K3S Qorvo UF4C120053K3S_Data_Sheet-3177174.pdf SiC MOSFETs 1200V/53mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K3S UF4C120053K3S QORVO UF4C120053K3S-D.PDF Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K3S UF4C120053K3S-D.PDF
UF4C120053K3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K3S UF4C120053K3S_Data_Sheet-3177174.pdf
UF4C120053K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/53mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K3S UF4C120053K3S-D.PDF
UF4C120053K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.