| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 937.87 грн |
| 25+ | 802.92 грн |
| 100+ | 602.92 грн |
| 250+ | 554.93 грн |
| 600+ | 538.24 грн |
| 3000+ | 537.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF4C120053K4S Qorvo
Description: ONSEMI - UF4C120053K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції UF4C120053K4S за ціною від 547.29 грн до 1163.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF4C120053K4S | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - UF4C120053K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF4C120053K4S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-4 |
на замовлення 759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF4C120053K4S | Виробник : onsemi |
Description: 1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE, Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|