Продукція > ONSEMI > UF4C120070B7S
UF4C120070B7S

UF4C120070B7S onsemi

UF4C120070B7S-D.PDF Виробник: onsemi
Description: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+467.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF4C120070B7S onsemi

Description: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V, Power Dissipation (Max): 183W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V.

Інші пропозиції UF4C120070B7S за ціною від 447.71 грн до 938.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UF4C120070B7S UF4C120070B7S Виробник : Qorvo UF4C120070B7S_Data_Sheet-3401229.pdf SiC MOSFETs UF4C120070B7S
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+749.35 грн
25+642.22 грн
100+481.73 грн
250+447.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070B7S UF4C120070B7S Виробник : onsemi UF4C120070B7S-D.PDF SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+936.69 грн
10+756.84 грн
100+582.98 грн
500+544.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070B7S UF4C120070B7S Виробник : onsemi UF4C120070B7S-D.PDF Description: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
на замовлення 12785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+938.66 грн
10+631.00 грн
100+550.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.