на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 792.21 грн |
| 25+ | 678.52 грн |
| 100+ | 530.43 грн |
| 600+ | 529.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF4C120070B7SSR Qorvo
Description: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V, Power Dissipation (Max): 183W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V.
Інші пропозиції UF4C120070B7SSR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UF4C120070B7SSR | Виробник : Qorvo |
 Description: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 183W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |