на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 775.51 грн |
| 25+ | 664.24 грн |
| 100+ | 498.71 грн |
| 250+ | 458.93 грн |
| 600+ | 445.89 грн |
| 3000+ | 445.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF4C120070K4S Qorvo
Description: ONSEMI - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 217W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF4C120070K4S за ціною від 432.17 грн до 1095.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF4C120070K4S | Виробник : onsemi |
 Description: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V |
на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF4C120070K4S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF4C120070K4S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|