| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 796.81 грн |
| 25+ | 682.48 грн |
| 100+ | 512.41 грн |
| 250+ | 471.53 грн |
| 600+ | 458.14 грн |
| 3000+ | 457.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF4C120070K4S Qorvo
Description: ONSEMI - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 217W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF4C120070K4S за ціною від 458.90 грн до 1008.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF4C120070K4S | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF4C120070K4S | onsemi |
Description: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: TO-247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube |
на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF4C120070K4S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| UF4C120070K4S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 959.62 грн |
| 5+ | 771.31 грн |
| 10+ | 583.01 грн |
| 50+ | 531.44 грн |
| 100+ | 482.10 грн |
| 250+ | 472.94 грн |
| UF4C120070K4S |
|
Виробник: onsemi
Description: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Description: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 987.20 грн |
| 30+ | 580.48 грн |
| 120+ | 499.37 грн |
| 510+ | 458.90 грн |
| UF4C120070K4S |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1008.14 грн |
| 10+ | 639.52 грн |
| 510+ | 468.00 грн |