Продукція > QORVO > UF4SC120023B7S
UF4SC120023B7S

UF4SC120023B7S Qorvo

UF4SC120023B7S_Data_Sheet-3402376.pdf Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UF4SC120023B7S
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1791.42 грн
25+1533.83 грн
100+1151.63 грн
250+1060.19 грн
500+1028.26 грн
2400+1027.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF4SC120023B7S Qorvo

Description: 1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 12V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 385W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V.

Інші пропозиції UF4SC120023B7S за ціною від 1150.18 грн до 1810.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UF4SC120023B7S UF4SC120023B7S Виробник : onsemi da009050 SiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1810.05 грн
10+1744.13 грн
100+1327.24 грн
250+1250.32 грн
500+1150.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120023B7S UF4SC120023B7S Виробник : Qorvo da009050 Description: 1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.