UF4SC120023B7S onsemi
Виробник: onsemi
Description: 1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1761.40 грн |
| 10+ | 1228.52 грн |
| 50+ | 1155.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF4SC120023B7S onsemi
Description: ONSEMI - UF4SC120023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 385W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.
Інші пропозиції UF4SC120023B7S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UF4SC120023B7S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO26 |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UF4SC120023B7S | Qorvo |
SiC MOSFETs UF4SC120023B7S |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UF4SC120023B7S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF4SC120023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 385W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
на замовлення 784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UF4SC120023B7S |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO26
SiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO26
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UF4SC120023B7S |
|
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UF4SC120023B7S
SiC MOSFETs UF4SC120023B7S
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UF4SC120023B7S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF4SC120023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: ONSEMI - UF4SC120023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)