на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1929.49 грн |
| 25+ | 1652.86 грн |
| 100+ | 1240.58 грн |
| 250+ | 1142.62 грн |
| 600+ | 1108.18 грн |
| 3000+ | 1107.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF4SC120023K4S Qorvo
Description: ONSEMI - UF4SC120023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 23 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF4SC120023K4S за ціною від 1243.64 грн до 2306.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF4SC120023K4S | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - UF4SC120023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 23 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF4SC120023K4S | Виробник : onsemi |
Description: 1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V Power Dissipation (Max): 385W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V |
на замовлення 1438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF4SC120023K4S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO247-4 |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| UF4SC120023K4S | Виробник : United Silicon Carbide |
UF4SC120023K4S |
товару немає в наявності |