UF4SC120030B7S onsemi
Виробник: onsemi
Description: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF4SC120030B7S onsemi
Description: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V, Power Dissipation (Max): 341W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V.
Інші пропозиції UF4SC120030B7S за ціною від 802.80 грн до 1545.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UF4SC120030B7S | onsemi |
Description: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V |
на замовлення 9595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF4SC120030B7S | Qorvo |
SiC MOSFETs UF4SC120030B7S |
на замовлення 728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF4SC120030B7S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO26 |
на замовлення 646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| UF4SC120030B7S |
|
Виробник: onsemi
Description: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
Description: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
на замовлення 9595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1374.15 грн |
| 10+ | 948.65 грн |
| 100+ | 920.24 грн |
| UF4SC120030B7S |
|
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UF4SC120030B7S
SiC MOSFETs UF4SC120030B7S
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1399.55 грн |
| 25+ | 1198.80 грн |
| 100+ | 900.06 грн |
| 250+ | 828.17 грн |
| 500+ | 803.50 грн |
| 2400+ | 802.80 грн |
| UF4SC120030B7S |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO26
SiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO26
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1545.92 грн |
| 10+ | 1200.42 грн |
| 100+ | 862.00 грн |
| 500+ | 826.76 грн |
| 800+ | 826.06 грн |