| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1434.91 грн |
| 25+ | 1229.60 грн |
| 100+ | 922.62 грн |
| 250+ | 849.31 грн |
| 600+ | 824.65 грн |
| 3000+ | 823.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF4SC120030K4S Qorvo
Description: ONSEMI - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції UF4SC120030K4S за ціною від 953.92 грн до 1619.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF4SC120030K4S | onsemi |
 Description: 1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CAInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 800 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Supplier Device Package: TO-247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
UF4SC120030K4S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO24 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
UF4SC120030K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| UF4SC120030K4S |
|
Виробник: onsemi
Description: 1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Description: 1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 800 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1558.90 грн |
| 30+ | 953.92 грн |
| UF4SC120030K4S |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO24
SiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO24
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1615.81 грн |
| 10+ | 1269.32 грн |
| UF4SC120030K4S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1619.92 грн |
| 5+ | 1457.93 грн |
| 10+ | 1175.06 грн |
| 50+ | 1068.99 грн |
| 100+ | 967.02 грн |