на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1477.33 грн |
| 25+ | 1265.96 грн |
| 100+ | 949.89 грн |
| 250+ | 874.42 грн |
| 600+ | 849.03 грн |
| 3000+ | 848.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF4SC120030K4S Qorvo
Description: QORVO - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF4SC120030K4S за ціною від 964.02 грн до 2390.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF4SC120030K4S | Виробник : onsemi |
 Description: 1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CAPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 800 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UF4SC120030K4S | Виробник : QORVO |
Description: QORVO - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|