UG18DCT-E3/45 Vishay General Semiconductor
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.39 грн |
1000+ | 57.81 грн |
2000+ | 42.99 грн |
5000+ | 42.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UG18DCT-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 200V 18A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A, Supplier Device Package: TO-220-3, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції UG18DCT-E3/45
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
UG18DCT-E3/45 | Виробник : Vishay | Diode Switching 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||
UG18DCT-E3/45 | Виробник : Vishay | Diode Switching 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||
UG18DCT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товар відсутній |