UG3SC120009K4S onsemi
Виробник: onsemiDescription: 1200V/9MO,SICFET,DG,G3,TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 320mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8157 pF @ 800 V
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4618.20 грн |
| 10+ | 3412.66 грн |
| 100+ | 3356.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UG3SC120009K4S onsemi
Description: 1200V/9MO,SICFET,DG,G3,TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 12V, Power Dissipation (Max): 789W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 320mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8157 pF @ 800 V.
Інші пропозиції UG3SC120009K4S за ціною від 3612.46 грн до 5698.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UG3SC120009K4S | Виробник : onsemi |
JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4 |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|