UGB8DT-E3/81 Vishay General Semiconductor
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.47 грн |
| 100+ | 85.99 грн |
| 500+ | 48.34 грн |
| 800+ | 39.39 грн |
| 2400+ | 37.05 грн |
| 4800+ | 35.25 грн |
| 9600+ | 33.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UGB8DT-E3/81 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції UGB8DT-E3/81
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UGB8DT-E3/81 | Виробник : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 200V 8A 30ns 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
товар відсутній |
|
 |
UGB8DT-E3/81 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товар відсутній |