UGB8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.93 грн |
| 10+ | 72.59 грн |
| 100+ | 48.95 грн |
| 500+ | 41.57 грн |
| 1000+ | 33.73 грн |
| 2000+ | 33.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UGB8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB, Packaging: Tube, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції UGB8DT-E3/45
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
UGB8DT-E3/45 Код товару: 184744 |
 Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні |
товар відсутній
|
|||
 |
UGB8DT-E3/45 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube |
товар відсутній |
|
 |
UGB8DT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товар відсутній |