UGB8DT-E3/45
Код товару: 184744
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції UGB8DT-E3/45
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| UGB8DT-E3/45 |
200 V 8A Surface Mount TO-263AB (D2PAK) Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| UGB8DT-E3/45 | Vishay Semiconductor |
Випрямний ультрашвидкий діод SMD, Ur, В = 200, Io, А = 8, If, A = 8, Uf (max), В = 1, I, мкА @ Ur, В = 10 @ 200, trr, нс = 30, Тексп, °С = -55...+150, Темп.опір,°C/Вт = 4, Час, станд, відновл (нс)/струм, мА = 500,... Діоди Корпус: D2PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
UGB8DT-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UGB8DT-E3/45 | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 200 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| UGB8DT-E3/45 |
|
200 V 8A Surface Mount TO-263AB (D2PAK) Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UGB8DT-E3/45 |
|
Виробник: Vishay Semiconductor
Випрямний ультрашвидкий діод SMD, Ur, В = 200, Io, А = 8, If, A = 8, Uf (max), В = 1, I, мкА @ Ur, В = 10 @ 200, trr, нс = 30, Тексп, °С = -55...+150, Темп.опір,°C/Вт = 4, Час, станд, відновл (нс)/струм, мА = 500,... Діоди Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Випрямний ультрашвидкий діод SMD, Ur, В = 200, Io, А = 8, If, A = 8, Uf (max), В = 1, I, мкА @ Ur, В = 10 @ 200, trr, нс = 30, Тексп, °С = -55...+150, Темп.опір,°C/Вт = 4, Час, станд, відновл (нс)/струм, мА = 500,... Діоди Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UGB8DT-E3/45 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UGB8DT-E3/45 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 200 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM
Rectifiers 200 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.