Продукція > Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні > UGB8DT-E3/45

UGB8DT-E3/45

UG8xT%2C%20UGF8xT%2C%20UGB8xT.pdf
Код товару: 184744
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції UGB8DT-E3/45

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UGB8DT-E3/45 UG8xT%2C%20UGF8xT%2C%20UGB8xT.pdf 200 V 8A Surface Mount TO-263AB (D2PAK) Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UGB8DT-E3/45 Виробник : Vishay Semiconductor ug8xt_Vishay.pdf Випрямний ультрашвидкий діод SMD, Ur, В = 200, Io, А = 8, If, A = 8, Uf (max), В = 1, I, мкА @ Ur, В = 10 @ 200, trr, нс = 30, Тексп, °С = -55...+150, Темп.опір,°C/Вт = 4, Час, станд, відновл (нс)/струм, мА = 500,... Група товару: Діоди Корпус: D2PAK Од.
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UGB8DT-E3/45 UGB8DT-E3/45 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8xT%2C%20UGF8xT%2C%20UGB8xT.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UGB8DT-E3/45 UGB8DT-E3/45 Виробник : Vishay General Semiconductor UG8xT%2C%20UGF8xT%2C%20UGB8xT.pdf Rectifiers 200 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.