UHB100SC12E1BC3N onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 P-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 417W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5859pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 40mA
Supplier Device Package: Module
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 13168.60 грн |
| 24+ | 10911.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UHB100SC12E1BC3N onsemi
Description: ONSEMI - UHB100SC12E1BC3N - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, p-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, PIM, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: 417W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PIM, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.
Інші пропозиції UHB100SC12E1BC3N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UHB100SC12E1BC3N | onsemi |
Discrete Semiconductor Modules 1200V/100ASICHALF-BRIDG |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
UHB100SC12E1BC3N | Qorvo |
Discrete Semiconductor Modules UHB100SC12E1BC3N |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UHB100SC12E1BC3N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UHB100SC12E1BC3N - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, p-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, PIM tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 417W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PIM Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UHB100SC12E1BC3N |
|
Виробник: onsemi
Discrete Semiconductor Modules 1200V/100ASICHALF-BRIDG
Discrete Semiconductor Modules 1200V/100ASICHALF-BRIDG
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UHB100SC12E1BC3N |
|
Виробник: Qorvo
Discrete Semiconductor Modules UHB100SC12E1BC3N
Discrete Semiconductor Modules UHB100SC12E1BC3N
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UHB100SC12E1BC3N |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UHB100SC12E1BC3N - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, p-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 417W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
Description: ONSEMI - UHB100SC12E1BC3N - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, p-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 417W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)