UHB100SC12E1BC3N onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 P-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 417W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5859pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 40mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15775.26 грн |
| 24+ | 12592.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UHB100SC12E1BC3N onsemi
Description: ONSEMI - UHB100SC12E1BC3N - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, p-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, PIM, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: PIM, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції UHB100SC12E1BC3N за ціною від 14437.79 грн до 20483.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UHB100SC12E1BC3N | Виробник : onsemi |
Discrete Semiconductor Modules 1200V/100ASICHALF-BRIDG |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
UHB100SC12E1BC3N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UHB100SC12E1BC3N - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, p-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, PIM tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: PIM Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
UHB100SC12E1BC3N | Виробник : Qorvo |
Discrete Semiconductor Modules UHB100SC12E1BC3N |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| UHB100SC12E1BC3-N | Виробник : United Silicon Carbide |
1200V-9.4mW SiC Half-Bridge Module |
товару немає в наявності |