Продукція > ONSEMI > UJ3C065030B3
UJ3C065030B3

UJ3C065030B3 onsemi

UJ3C065030B3-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+930.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3C065030B3 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V, Power Dissipation (Max): 242W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V, Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET).

Інші пропозиції UJ3C065030B3 за ціною від 1070.17 грн до 1863.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 ONSEMI 3750904.pdf Description: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1328.19 грн
50+1208.41 грн
100+1093.16 грн
250+1070.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 onsemi UJ3C065030B3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1683.63 грн
10+1172.26 грн
100+1096.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 ONSEMI 3750904.pdf Description: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1799.64 грн
5+1563.91 грн
10+1328.19 грн
50+1208.41 грн
100+1093.16 грн
250+1070.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030B3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Power dissipation: 250W
Drain current: 47A
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 27mΩ
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1863.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 onsemi UJ3C065030B3-D.PDF SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Qorvo UJ3C065030B3_Data_Sheet-3177165.pdf SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Qorvo / UnitedSiC UJ3C065030B3_Data_Sheet-3177165.pdf MOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 3750904.pdf
UJ3C065030B3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1328.19 грн
50+1208.41 грн
100+1093.16 грн
250+1070.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3-D.PDF
UJ3C065030B3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1683.63 грн
10+1172.26 грн
100+1096.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 3750904.pdf
UJ3C065030B3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1799.64 грн
5+1563.91 грн
10+1328.19 грн
50+1208.41 грн
100+1093.16 грн
250+1070.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3.pdf
UJ3C065030B3
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Power dissipation: 250W
Drain current: 47A
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 27mΩ
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1863.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3-D.PDF
UJ3C065030B3
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3_Data_Sheet-3177165.pdf
UJ3C065030B3
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3_Data_Sheet-3177165.pdf
UJ3C065030B3
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.