UJ3C065030B3 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 1063.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3C065030B3 onsemi
Description: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 242W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ3C065030B3 за ціною від 940.85 грн до 2103.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3C065030B3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 242W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UJ3C065030B3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 3772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UJ3C065030B3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 242W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UJ3C065030B3 | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3 |
на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UJ3C065030B3 | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3 |
на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UJ3C065030B3 | Виробник : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Version: ESD |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UJ3C065030B3 | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UJ3C065030B3 | Виробник : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|