Продукція > ONSEMI > UJ3C065030B3
UJ3C065030B3

UJ3C065030B3 onsemi


uj3c065030b3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1024.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3C065030B3 onsemi

Description: QORVO - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 242W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ3C065030B3 за ціною від 857.35 грн до 1730.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Виробник : onsemi uj3c065030b3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1251.81 грн
10+1126.74 грн
100+986.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Виробник : QORVO 3750904.pdf Description: QORVO - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1313.85 грн
5+1228.02 грн
10+1142.19 грн
50+1016.93 грн
100+897.67 грн
250+857.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Виробник : Qorvo UJ3C065030B3_Data_Sheet-3177165.pdf SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1580.12 грн
25+1354.50 грн
100+1015.98 грн
250+935.05 грн
500+933.58 грн
800+906.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Виробник : Qorvo / UnitedSiC UJ3C065030B3_Data_Sheet-3177165.pdf MOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1730.32 грн
25+1599.00 грн
100+1362.48 грн
250+1174.15 грн
800+1049.82 грн
2400+1026.28 грн
4800+1025.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Виробник : QORVO 3750904.pdf Description: QORVO - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.