на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1654.22 грн |
| 25+ | 1417.98 грн |
| 100+ | 1063.24 грн |
| 250+ | 979.48 грн |
| 500+ | 912.32 грн |
| 1000+ | 893.45 грн |
| 10000+ | 892.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3C065030T3S Qorvo
Description: ONSEMI - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ3C065030T3S за ціною від 1051.16 грн до 1791.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3C065030T3S | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UJ3C065030T3S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 1574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UJ3C065030T3S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|