Продукція > QORVO > UJ3C065030T3S
UJ3C065030T3S

UJ3C065030T3S Qorvo

UJ3C065030T3S_Data_Sheet-3177210.pdf Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1674.10 грн
25+1435.02 грн
100+1076.02 грн
250+991.25 грн
500+923.28 грн
1000+904.19 грн
10000+903.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3C065030T3S Qorvo

Description: ONSEMI - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ3C065030T3S за ціною від 982.50 грн до 1971.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S Виробник : onsemi uj3c065030t3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1691.83 грн
50+1242.23 грн
100+1241.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S Виробник : Qorvo / UnitedSiC UJ3C065030T3S_Data_Sheet-3177210.pdf MOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1796.16 грн
10+1627.35 грн
50+1414.33 грн
100+1194.39 грн
500+1067.62 грн
1000+1063.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S Виробник : ONSEMI 3750906.pdf Description: ONSEMI - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1971.23 грн
5+1583.16 грн
10+1195.08 грн
50+1097.78 грн
100+1002.32 грн
250+982.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990B3E23CD4A8B8BF&compId=UJ3C065030T3S.pdf?ci_sign=7f40b61d317620427df5bae27fc71708dba86694 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.