Продукція > ONSEMI > UJ3C065080B3
UJ3C065080B3

UJ3C065080B3 onsemi

da008669
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+376.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3C065080B3 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V.

Інші пропозиції UJ3C065080B3 за ціною від 362.51 грн до 617.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 onsemi da008669 Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.32 грн
10+413.40 грн
100+362.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065080B3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 18.2A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 115W
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 650V
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Kind of transistor: cascode
Polarisation: unipolar
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+617.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 onsemi UJ3C065080B3-D.PDF SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 Qorvo UJ3C065080B3_Data_Sheet-3177176.pdf SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 Qorvo / UnitedSiC UJ3C065080B3_Data_Sheet-3177176.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 da008669
UJ3C065080B3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+459.32 грн
10+413.40 грн
100+362.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3.pdf
UJ3C065080B3
Виробник: Qorvo (UnitedSiC)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 18.2A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 115W
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 650V
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Kind of transistor: cascode
Polarisation: unipolar
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+617.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3-D.PDF
UJ3C065080B3
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3_Data_Sheet-3177176.pdf
UJ3C065080B3
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3_Data_Sheet-3177176.pdf
UJ3C065080B3
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.