UJ3C065080B3 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 375.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3C065080B3 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V.
Інші пропозиції UJ3C065080B3 за ціною від 308.76 грн до 708.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UJ3C065080B3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 5690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UJ3C065080B3 | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3 |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UJ3C065080B3 | Виробник : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A Technology: SiC Mounting: SMD Case: D2PAK Gate charge: 51nC On-state resistance: 80mΩ Drain current: 18.2A Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 115W Pulsed drain current: 65A Drain-source voltage: 650V Version: ESD Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Kind of transistor: cascode Polarisation: unipolar |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UJ3C065080B3 | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UJ3C065080B3 | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3 |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|