UJ3C065080B3 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3C065080B3 onsemi
Description: ONSEMI - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ3C065080B3 за ціною від 359.19 грн до 455.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UJ3C065080B3 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 5690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
UJ3C065080B3 | onsemi |
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3 |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
UJ3C065080B3 | Qorvo |
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3 |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
UJ3C065080B3 | Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UJ3C065080B3 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 455.11 грн |
| 10+ | 409.61 грн |
| 100+ | 359.19 грн |
| UJ3C065080B3 |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UJ3C065080B3 |
|
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UJ3C065080B3 |
|
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
MOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)