Продукція > ONSEMI > UJ3C065080K3S
UJ3C065080K3S

UJ3C065080K3S onsemi

UJ3C065080K3S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 42223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+757.93 грн
30+436.44 грн
120+372.04 грн
510+327.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3C065080K3S onsemi

Description: ONSEMI - UJ3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 190W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Інші пропозиції UJ3C065080K3S за ціною від 373.43 грн до 797.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S onsemi UJ3C065080K3S-D.PDF SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+797.49 грн
10+469.88 грн
120+373.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S ONSEMI 3750908.pdf Description: ONSEMI - UJ3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+797.49 грн
5+637.50 грн
10+477.51 грн
50+431.21 грн
100+387.49 грн
250+376.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S-D.PDF
UJ3C065080K3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+797.49 грн
10+469.88 грн
120+373.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3S 3750908.pdf
UJ3C065080K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+797.49 грн
5+637.50 грн
10+477.51 грн
50+431.21 грн
100+387.49 грн
250+376.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.