Продукція > ONSEMI > UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S

UJ3C120040K3S onsemi

uj3c120040k3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2610.44 грн
30+1656.38 грн
120+1637.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3C120040K3S onsemi

Description: ONSEMI - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ3C120040K3S за ціною від 1505.97 грн до 2784.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S Виробник : Qorvo UJ3C120040K3S_Data_Sheet-3177202.pdf SiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2623.86 грн
25+2248.26 грн
100+1686.96 грн
250+1553.31 грн
600+1506.73 грн
3000+1505.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S Виробник : Qorvo / UnitedSiC UJ3C120040K3S_Data_Sheet-3177202.pdf MOSFET 1200V/40mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2662.17 грн
10+2420.39 грн
120+1796.93 грн
270+1796.16 грн
510+1648.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S Виробник : onsemi UJ3C120040K3S_D-3578902.pdf SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2757.50 грн
10+2711.08 грн
30+1683.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S Виробник : ONSEMI uj3c120040k3s-d.pdf Description: ONSEMI - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2784.23 грн
5+2727.69 грн
10+2670.29 грн
50+1702.36 грн
100+1539.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S Виробник : USCi uj3c120040k3s-d.pdf Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A UJ3C120040K3S TUJ3C120040k3s
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2088.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S
Код товару: 193437
Додати до обраних Обраний товар

uj3c120040k3s-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.