Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > UJ3C120040K3S

UJ3C120040K3S

UJ3C120040K3S-D.PDF
Код товару: 193437
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції UJ3C120040K3S за ціною від 1428.30 грн до 2647.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S onsemi UJ3C120040K3S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2277.77 грн
30+1445.01 грн
120+1428.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S ONSEMI 3750910.pdf Description: ONSEMI - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2647.44 грн
5+2311.73 грн
10+1976.03 грн
50+1787.33 грн
100+1605.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S onsemi UJ3C120040K3S_D-3578902.pdf SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S Qorvo UJ3C120040K3S_Data_Sheet-3177202.pdf SiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S Qorvo / UnitedSiC UJ3C120040K3S_Data_Sheet-3177202.pdf MOSFET 1200V/40mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S USCi UJ3C120040K3S-D.PDF Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A UJ3C120040K3S TUJ3C120040k3s
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+2258.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S-D.PDF
UJ3C120040K3S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2277.77 грн
30+1445.01 грн
120+1428.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S 3750910.pdf
UJ3C120040K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2647.44 грн
5+2311.73 грн
10+1976.03 грн
50+1787.33 грн
100+1605.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S_D-3578902.pdf
UJ3C120040K3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S_Data_Sheet-3177202.pdf
UJ3C120040K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S_Data_Sheet-3177202.pdf
UJ3C120040K3S
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 1200V/40mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S-D.PDF
Виробник: USCi
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A UJ3C120040K3S TUJ3C120040k3s
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2258.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.