Продукція > ONSEMI > UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S

UJ3C120070K3S onsemi

da008673
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1189.39 грн
30+804.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3C120070K3S onsemi

Description: ONSEMI - UJ3C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 254.2W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

Інші пропозиції UJ3C120070K3S за ціною від 661.83 грн до 1467.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
UJ3C120070K3S UJ3C120070K3S Qorvo UJ3C120070K3S_Data_Sheet-3177211.pdf SiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+1199.73 грн
25+1027.78 грн
100+771.08 грн
250+710.46 грн
600+688.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K3S UJ3C120070K3S ONSEMI 3750911.pdf Description: ONSEMI - UJ3C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1467.80 грн
5+1200.55 грн
10+933.31 грн
50+840.68 грн
100+675.22 грн
250+661.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K3S UJ3C120070K3S_Data_Sheet-3177211.pdf
UJ3C120070K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1199.73 грн
25+1027.78 грн
100+771.08 грн
250+710.46 грн
600+688.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K3S 3750911.pdf
UJ3C120070K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1467.80 грн
5+1200.55 грн
10+933.31 грн
50+840.68 грн
100+675.22 грн
250+661.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.