Продукція > QORVO > UJ3C120070K4S
UJ3C120070K4S

UJ3C120070K4S Qorvo

UJ3C120070K4S_Data_Sheet-3241569.pdf
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 590 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1295.54 грн
25+1109.20 грн
100+832.66 грн
250+766.73 грн
600+743.02 грн
3000+742.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3C120070K4S Qorvo

Description: ONSEMI - UJ3C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 70 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254.2W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ3C120070K4S за ціною від 949.89 грн до 1544.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UJ3C120070K4S UJ3C120070K4S onsemi da008950 SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG3TO24
на замовлення 590 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1544.44 грн
10+949.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K4S UJ3C120070K4S ONSEMI 3971392.pdf Description: ONSEMI - UJ3C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 70 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K4S da008950
UJ3C120070K4S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG3TO24
на замовлення 590 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1544.44 грн
10+949.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K4S 3971392.pdf
UJ3C120070K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 70 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.