Продукція > ONSEMI > UJ3C120080K3S
UJ3C120080K3S

UJ3C120080K3S onsemi

uj3c120080k3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1206.84 грн
30+769.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3C120080K3S onsemi

Description: ONSEMI - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254.2W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ3C120080K3S за ціною від 755.79 грн до 1609.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S Виробник : Qorvo UJ3C120080K3S_Data_Sheet-3314831.pdf SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1316.82 грн
25+1128.59 грн
100+847.10 грн
250+756.56 грн
600+755.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S Виробник : onsemi UJ3C120080K3S-D.PDF SiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1503.91 грн
10+930.05 грн
100+765.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S Виробник : ONSEMI 3750912.pdf Description: ONSEMI - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1609.61 грн
5+1310.07 грн
10+1010.53 грн
50+917.57 грн
100+828.54 грн
250+809.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3S
Код товару: 175759
Додати до обраних Обраний товар

uj3c120080k3s-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.