Продукція > QORVO > UJ3C120080K3S
UJ3C120080K3S

UJ3C120080K3S QORVO

3750912.pdf Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1072.87 грн
5+1025.83 грн
10+979.61 грн
50+865.96 грн
100+689.70 грн
250+647.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3C120080K3S QORVO

Description: QORVO - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254.2W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ3C120080K3S за ціною від 724.65 грн до 1276.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S Виробник : Qorvo UJ3C120080K3S_Data_Sheet-3314831.pdf SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1262.55 грн
25+1082.08 грн
100+812.19 грн
250+725.38 грн
600+724.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S Виробник : onsemi uj3c120080k3s-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1276.48 грн
30+856.02 грн
120+788.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120080K3S
Код товару: 175759
Додати до обраних Обраний товар

uj3c120080k3s-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.