| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 697.72 грн |
| 25+ | 597.39 грн |
| 100+ | 448.54 грн |
| 250+ | 413.07 грн |
| 600+ | 401.25 грн |
| 3000+ | 400.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3C120150K3S Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA, Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції UJ3C120150K3S за ціною від 439.50 грн до 910.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3C120150K3S | Виробник : onsemi |
 Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UJ3C120150K3S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2 |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UJ3C120150K3S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| UJ3C120150K3S | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 166W Mounting: THT Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: SiC Case: TO247-3 Gate-source voltage: -25...25V Gate charge: 63nC On-state resistance: 0.33Ω Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 166W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: tube Kind of transistor: cascode Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |