Продукція > QORVO > UJ3C120150K3S
UJ3C120150K3S

UJ3C120150K3S QORVO

3750913.pdf Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+637.74 грн
5+596.54 грн
10+554.48 грн
50+492.56 грн
100+434.07 грн
250+413.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3C120150K3S QORVO

Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166.7W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ3C120150K3S за ціною від 439.96 грн до 1001.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ3C120150K3S UJ3C120150K3S Виробник : Qorvo UJ3C120150K3S_Data_Sheet-3177151.pdf SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+767.69 грн
25+657.30 грн
100+493.52 грн
250+454.49 грн
600+441.49 грн
3000+440.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3S UJ3C120150K3S Виробник : onsemi UJ3C120150K3S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+917.90 грн
30+534.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3S UJ3C120150K3S Виробник : onsemi UJ3C120150K3S-D.PDF SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO247-3
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+989.97 грн
10+591.30 грн
120+513.41 грн
1020+439.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3S UJ3C120150K3S Виробник : Qorvo / UnitedSiC UJ3C120150K3S_Data_Sheet-3177151.pdf MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1001.57 грн
10+892.23 грн
120+641.95 грн
510+558.55 грн
1020+506.52 грн
2520+497.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3S Виробник : ONSEMI UJ3C120150K3S-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.8A; Idm: 38A; 166W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -25...25V
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 0.33Ω
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 166W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.