UJ3C120150K3S onsemi
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 861.29 грн |
| 30+ | 501.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3C120150K3S onsemi
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166.7W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ3C120150K3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
UJ3C120150K3S | onsemi |
SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2 |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
UJ3C120150K3S | Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
UJ3C120150K3S | Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
UJ3C120150K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 166.7W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UJ3C120150K3S |
![]() |
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2
SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UJ3C120150K3S |
![]() |
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-3
SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UJ3C120150K3S |
![]() |
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UJ3C120150K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




