| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.42 грн |
| 25+ | 196.96 грн |
| 100+ | 148.01 грн |
| 250+ | 136.03 грн |
| 500+ | 132.51 грн |
| 1000+ | 131.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3D06512TS Qorvo
Description: ONSEMI - UJ3D06512TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 29 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 29nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ3D06512TS за ціною від 169.16 грн до 434.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3D06512TS | onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V |
на замовлення 10601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
UJ3D06512TS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3D06512TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 29 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 29nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
UJ3D06512TS | onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V/12ASICDIODEG3TO2 |
на замовлення 1634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| UJ3D06512TS |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 10601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 302.11 грн |
| 50+ | 186.72 грн |
| 100+ | 180.15 грн |
| UJ3D06512TS |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3D06512TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UJ3D06512TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 369.21 грн |
| 10+ | 195.71 грн |
| UJ3D06512TS |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V/12ASICDIODEG3TO2
SiC Schottky Diodes 650V/12ASICDIODEG3TO2
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 434.17 грн |
| 10+ | 226.95 грн |
| 100+ | 180.44 грн |
| 1000+ | 169.16 грн |