| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 393.88 грн |
| 25+ | 337.19 грн |
| 100+ | 253.03 грн |
| 250+ | 235.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3D06520KSD Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C.
Інші пропозиції UJ3D06520KSD за ціною від 253.41 грн до 648.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3D06520KSD | onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C |
на замовлення 7418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
UJ3D06520KSD | onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V/20ASICDIODEDUALG |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| UJ3D06520KSD |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
на замовлення 7418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 625.62 грн |
| 30+ | 331.11 грн |
| 120+ | 299.34 грн |
| 510+ | 253.41 грн |
| UJ3D06520KSD |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V/20ASICDIODEDUALG
SiC Schottky Diodes 650V/20ASICDIODEDUALG
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 648.79 грн |
| 10+ | 376.91 грн |
| 100+ | 260.08 грн |