Продукція > ONSEMI > UJ3D06520TS
UJ3D06520TS

UJ3D06520TS onsemi

DS_UJ3D06520TS.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+315.59 грн
25+264.47 грн
100+227.82 грн
250+197.31 грн
500+183.56 грн
1000+177.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3D06520TS onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V.

Інші пропозиції UJ3D06520TS

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
UJ3D06520TS UJ3D06520TS onsemi DS_UJ3D06520TS.pdf SiC Schottky Diodes 650V/20ASICDIODEG3TO2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520TS DS_UJ3D06520TS.pdf
UJ3D06520TS
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V/20ASICDIODEG3TO2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.