| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1036.92 грн |
| 25+ | 887.55 грн |
| 100+ | 666.06 грн |
| 250+ | 618.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3D06560KSD Qorvo
Description: ONSEMI - UJ3D06560KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 60 A, 144 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 144nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ3D06560KSD за ціною від 711.08 грн до 1133.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UJ3D06560KSD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3D06560KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 60 A, 144 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 144nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
UJ3D06560KSD | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io): 30A Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 6042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
UJ3D06560KSD | onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V/60ASICDIODEDUALG3TO247-3 |
на замовлення 327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| UJ3D06560KSD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3D06560KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 60 A, 144 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 144nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UJ3D06560KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 60 A, 144 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 144nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1068.99 грн |
| 5+ | 1047.61 грн |
| UJ3D06560KSD |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1121.20 грн |
| 30+ | 711.08 грн |
| UJ3D06560KSD |
![]() |
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V/60ASICDIODEDUALG3TO247-3
SiC Schottky Diodes 650V/60ASICDIODEDUALG3TO247-3
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1133.95 грн |
| 30+ | 870.53 грн |





