на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.75 грн |
| 25+ | 119.12 грн |
| 100+ | 89.01 грн |
| 250+ | 82.10 грн |
| 500+ | 76.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3D1202TS Qorvo
Description: ONSEMI - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 12nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ3D1202TS за ціною від 86.65 грн до 283.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3D1202TS | Виробник : onsemi |
 SiC Schottky Diodes 1200V/2ASICDIODEG3TO220-2 |
на замовлення 1223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UJ3D1202TS | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UJ3D1202TS | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V |
на замовлення 6499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| UJ3D1202TS | Виробник : ONSEMI |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 5.5W; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1200V Max. forward impulse current: 27A Power dissipation: 5.5W Kind of package: tube |
товару немає в наявності |