| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.46 грн |
| 25+ | 109.42 грн |
| 100+ | 81.76 грн |
| 250+ | 75.42 грн |
| 500+ | 70.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3D1202TS Qorvo
Description: ONSEMI - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 12nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ3D1202TS за ціною від 82.78 грн до 330.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3D1202TS | onsemi |
 SiC Schottky Diodes 1200V/2ASICDIODEG3TO220-2 |
на замовлення 1223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UJ3D1202TS | onsemi |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220 Supplier Device Package: TO-220-2 Current - Average Rectified (Io): 2A Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C |
на замовлення 6499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UJ3D1202TS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| UJ3D1202TS |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V/2ASICDIODEG3TO220-2
SiC Schottky Diodes 1200V/2ASICDIODEG3TO220-2
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.47 грн |
| 10+ | 117.53 грн |
| 100+ | 93.74 грн |
| 500+ | 84.58 грн |
| UJ3D1202TS |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
на замовлення 6499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 271.18 грн |
| 50+ | 132.97 грн |
| 100+ | 120.54 грн |
| 500+ | 92.67 грн |
| 1000+ | 86.10 грн |
| 2000+ | 82.78 грн |
| UJ3D1202TS |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 330.56 грн |
| 10+ | 168.57 грн |