| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 217.91 грн |
| 25+ | 186.43 грн |
| 100+ | 140.26 грн |
| 250+ | 128.98 грн |
| 500+ | 119.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3D1205TS Qorvo
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO220, Current - Average Rectified (Io): 5A, Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220-2.
Інші пропозиції UJ3D1205TS за ціною від 140.80 грн до 415.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3D1205TS | onsemi |
 Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO220Current - Average Rectified (Io): 5A Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220-2 |
на замовлення 20381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
UJ3D1205TS | onsemi |
SiC Schottky Diodes 1200V/5ASICDIODEG3TO220-2 |
на замовлення 1012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| UJ3D1205TS |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO220
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO220
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
на замовлення 20381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 402.81 грн |
| 50+ | 204.42 грн |
| 100+ | 186.71 грн |
| 500+ | 146.13 грн |
| 1000+ | 140.80 грн |
| UJ3D1205TS |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V/5ASICDIODEG3TO220-2
SiC Schottky Diodes 1200V/5ASICDIODEG3TO220-2
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 415.26 грн |
| 10+ | 192.91 грн |
| 100+ | 163.52 грн |
| 500+ | 143.78 грн |