| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 387.30 грн |
| 25+ | 331.51 грн |
| 100+ | 248.80 грн |
| 250+ | 231.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3D1210KS Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473, Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції UJ3D1210KS за ціною від 268.88 грн до 694.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3D1210KS | onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
UJ3D1210KS | onsemi |
SiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEG3TO |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| UJ3D1210KS |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 615.31 грн |
| 10+ | 437.75 грн |
| 100+ | 379.25 грн |
| 600+ | 268.88 грн |
| UJ3D1210KS |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEG3TO
SiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEG3TO
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 694.84 грн |
| 10+ | 469.31 грн |
| 100+ | 301.67 грн |
| 600+ | 285.45 грн |