| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 426.77 грн |
| 25+ | 365.56 грн |
| 100+ | 274.88 грн |
| 250+ | 253.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3D1210KSD Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO2473, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io): 5A, Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції UJ3D1210KSD за ціною від 313.65 грн до 738.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3D1210KSD | onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO2473Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io): 5A Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
UJ3D1210KSD | onsemi |
SiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEDUAL |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| UJ3D1210KSD |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO2473
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO2473
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 665.27 грн |
| 30+ | 378.09 грн |
| UJ3D1210KSD |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEDUAL
SiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEDUAL
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 738.42 грн |
| 10+ | 436.08 грн |
| 100+ | 372.85 грн |
| 600+ | 331.97 грн |
| 1200+ | 313.65 грн |