| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 417.73 грн |
| 25+ | 350.16 грн |
| 100+ | 268.54 грн |
| 250+ | 233.30 грн |
| 500+ | 196.65 грн |
| 1000+ | 194.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3D1210TS Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції UJ3D1210TS за ціною від 237.99 грн до 596.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3D1210TS | onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V |
на замовлення 9913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
UJ3D1210TS | onsemi |
SiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEG3TO |
на замовлення 2194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| UJ3D1210TS |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 9913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 482.10 грн |
| 50+ | 253.26 грн |
| 100+ | 237.99 грн |
| UJ3D1210TS |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEG3TO
SiC Schottky Diodes 1200V/10ASICDIODEG3TO
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 596.16 грн |
| 10+ | 320.98 грн |
| 100+ | 274.88 грн |
| 1000+ | 257.97 грн |