| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 717.86 грн |
| 25+ | 615.21 грн |
| 100+ | 461.66 грн |
| 250+ | 427.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3D1220KSD Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції UJ3D1220KSD за ціною від 465.72 грн до 1092.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3D1220KSD | onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V |
на замовлення 773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
UJ3D1220KSD | onsemi |
SiC Schottky Diodes 1200V/20ASICDIODEDUAL |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| UJ3D1220KSD |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 998.30 грн |
| 30+ | 587.71 грн |
| 120+ | 505.81 грн |
| 510+ | 465.72 грн |
| UJ3D1220KSD |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V/20ASICDIODEDUAL
SiC Schottky Diodes 1200V/20ASICDIODEDUAL
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1092.83 грн |
| 10+ | 671.13 грн |
| 100+ | 521.57 грн |