
UJ3N065025K3S QORVO

Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1350.16 грн |
5+ | 1261.86 грн |
10+ | 1172.73 грн |
50+ | 1043.75 грн |
100+ | 921.72 грн |
250+ | 879.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3N065025K3S QORVO
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ3N065025K3S за ціною від 851.92 грн до 1638.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
UJ3N065025K3S | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
UJ3N065025K3S | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 100V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V Current Drain (Id) - Max: 85 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Power - Max: 441 W Resistance - RDS(On): 33 mOhms |
на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
UJ3N065025K3S | Виробник : United Silicon Carbide |
![]() |
товару немає в наявності |