UJ3N065025K3S Qorvo
Виробник: Qorvo
Description: JFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 85 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 441 W
Resistance - RDS(On): 33 mOhms
Description: JFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 85 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 441 W
Resistance - RDS(On): 33 mOhms
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1252.98 грн |
30+ | 976.89 грн |
120+ | 919.43 грн |
510+ | 781.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3N065025K3S Qorvo
Description: UNITEDSIC - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247, Drain-Source-Spannung Vds: 650, Dauer-Drainstrom Id: 85, Verlustleistung Pd: 441, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 441, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022, Rds(on)-Prüfspannung: 2, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції UJ3N065025K3S за ціною від 759.08 грн до 1696.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UJ3N065025K3S | Виробник : UNITEDSIC |
Description: UNITEDSIC - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 85 Verlustleistung Pd: 441 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 441 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022 Rds(on)-Prüfspannung: 2 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UJ3N065025K3S | Виробник : Qorvo | JFET 650V/25mO,SIC,JFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 440 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UJ3N065025K3S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC | JFET 650V/25mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UJ3N065025K3S | Виробник : United Silicon Carbide | 650V SiC Normally-On JFET |
товар відсутній |