Продукція > QORVO > UJ3N065025K3S
UJ3N065025K3S

UJ3N065025K3S QORVO

3750931.pdf Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1398.21 грн
5+1306.76 грн
10+1214.46 грн
50+1080.89 грн
100+954.52 грн
250+911.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3N065025K3S QORVO

Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ3N065025K3S за ціною від 976.71 грн до 1839.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ3N065025K3S UJ3N065025K3S Виробник : onsemi uj3n065025k3s-d.pdf Description: JFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 85 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 441 W
Resistance - RDS(On): 33 mOhms
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1696.88 грн
30+1126.81 грн
120+1048.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3S UJ3N065025K3S Виробник : onsemi UJ3N065025K3S-D.PDF JFETs 650V/25MOSICJFETG3TO247-3
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1839.89 грн
10+1160.01 грн
100+976.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3S Виробник : United Silicon Carbide ds_uj3n065025k3s.pdf 650V SiC Normally-On JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3S Виробник : ONSEMI uj3n065025k3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: cascode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.