Продукція > ONSEMI > UJ3N120035K3S
UJ3N120035K3S

UJ3N120035K3S ONSEMI

3750933.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3N120035K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2233.38 грн
5+2073.18 грн
10+1912.98 грн
50+1627.58 грн
100+1472.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3N120035K3S ONSEMI

Description: ONSEMI - UJ3N120035K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ3N120035K3S за ціною від 1637.21 грн до 2610.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ3N120035K3S UJ3N120035K3S Виробник : onsemi UJ3N120035K3S-D.PDF JFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO247-3
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2546.35 грн
10+1752.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120035K3S UJ3N120035K3S Виробник : onsemi uj3n120035k3s-d.pdf Description: JFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 63 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 429 W
Resistance - RDS(On): 45 mOhms
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2610.44 грн
30+1656.38 грн
120+1637.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120035K3S Виробник : United Silicon Carbide ds_uj3n120035k3s.pdf 35mW - 1200V SiC Normally-On JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120035K3S Виробник : United Silicon Carbide ds_uj3n120035k3s.pdf UJ3N120035K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120035K3S Виробник : ONSEMI uj3n120035k3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 185A; 429W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 429W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 76mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.