UJ3N120035K3S onsemi
Виробник: onsemiDescription: JFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 63 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 429 W
Resistance - RDS(On): 45 mOhms
на замовлення 3894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2148.91 грн |
| 30+ | 1528.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3N120035K3S onsemi
Description: ONSEMI - UJ3N120035K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ3N120035K3S за ціною від 1479.27 грн до 2558.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3N120035K3S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3N120035K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UJ3N120035K3S | Виробник : onsemi |
JFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO247-3 |
на замовлення 744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| UJ3N120035K3S | Виробник : United Silicon Carbide |
35mW - 1200V SiC Normally-On JFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| UJ3N120035K3S | Виробник : United Silicon Carbide |
UJ3N120035K3S |
товару немає в наявності |