
UJ3N120035K3S ONSEMI

Description: ONSEMI - UJ3N120035K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2151.52 грн |
5+ | 1997.19 грн |
10+ | 1842.86 грн |
50+ | 1567.92 грн |
100+ | 1418.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3N120035K3S ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3N120035K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ3N120035K3S за ціною від 1577.20 грн до 2514.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
UJ3N120035K3S | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
UJ3N120035K3S | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 100V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V Current Drain (Id) - Max: 63 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Power - Max: 429 W Resistance - RDS(On): 45 mOhms |
на замовлення 3963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
UJ3N120035K3S | Виробник : United Silicon Carbide |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
UJ3N120035K3S | Виробник : United Silicon Carbide |
![]() |
товару немає в наявності |