UJ3N120065K3S QORVO
Виробник: QORVODescription: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1192.38 грн |
| 5+ | 1114.73 грн |
| 10+ | 1036.21 грн |
| 50+ | 890.09 грн |
| 100+ | 709.21 грн |
| 250+ | 652.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3N120065K3S QORVO
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ3N120065K3S за ціною від 832.18 грн до 1628.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3N120065K3S | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V Current Drain (Id) - Max: 34 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Power - Max: 254 W Resistance - RDS(On): 55 mOhms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V |
на замовлення 2561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
UJ3N120065K3S | Виробник : onsemi |
JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO247-3 |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| UJ3N120065K3S | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 25A Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 254W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -30...20V On-state resistance: 142mΩ Mounting: THT Gate charge: 114nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |