Продукція > ONSEMI > UJ3N120065K3S
UJ3N120065K3S

UJ3N120065K3S onsemi

UJ3N120065K3S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 34 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 55 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1529.53 грн
30+929.65 грн
60+865.13 грн
120+761.02 грн
510+740.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ3N120065K3S onsemi

Description: ONSEMI - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 254W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm.

Інші пропозиції UJ3N120065K3S за ціною від 1014.28 грн до 1656.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UJ3N120065K3S UJ3N120065K3S onsemi UJ3N120065K3S-D.PDF JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO247-3
на замовлення 350 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1656.94 грн
10+1014.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120065K3S UJ3N120065K3S ONSEMI 3971404.pdf Description: ONSEMI - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120065K3S UJ3N120065K3S-D.PDF
UJ3N120065K3S
Виробник: onsemi
JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO247-3
на замовлення 350 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1656.94 грн
10+1014.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120065K3S 3971404.pdf
UJ3N120065K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.