UJ3N120065K3S onsemi
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V
Resistance - RDS(On): 55 mOhms
Power - Max: 254 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 34 A
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1408.74 грн |
| 30+ | 856.72 грн |
| 120+ | 778.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ3N120065K3S onsemi
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ3N120065K3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ3N120065K3S | onsemi |
JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO247-3 |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
UJ3N120065K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UJ3N120065K3S |
|
Виробник: onsemi
JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO247-3
JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO247-3
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| UJ3N120065K3S |
|
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)