Продукція > QORVO > UJ4C075018K3S
UJ4C075018K3S

UJ4C075018K3S QORVO

uj4c075018k3s-d.pdf Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1374.98 грн
5+1315.01 грн
10+1254.19 грн
50+1108.92 грн
100+883.37 грн
250+870.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4C075018K3S QORVO

Description: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ4C075018K3S за ціною від 831.64 грн до 1618.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ4C075018K3S UJ4C075018K3S Виробник : onsemi UJ4C075018K3S_D-3579199.pdf SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1504.82 грн
10+1081.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3S UJ4C075018K3S Виробник : onsemi uj4c075018k3s-d.pdf Description: SICFET N-CH 750V 81A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1512.57 грн
30+1009.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3S UJ4C075018K3S Виробник : Qorvo UJ4C075018K3S_Data_Sheet-3177132.pdf SiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1618.86 грн
25+1385.84 грн
100+1040.12 грн
250+957.65 грн
600+929.39 грн
3000+859.90 грн
5400+831.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3S Виробник : ONSEMI uj4c075018k3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 750V; 60A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 205A
Power dissipation: 385W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -25...25V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.