Продукція > ONSEMI > UJ4C075018K3S
UJ4C075018K3S

UJ4C075018K3S onsemi

UJ4C075018K3S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 750V 81A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 3457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+900.58 грн
30+523.43 грн
120+448.16 грн
510+376.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4C075018K3S onsemi

Description: ONSEMI - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 385W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm.

Інші пропозиції UJ4C075018K3S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UJ4C075018K3S UJ4C075018K3S ONSEMI 3971371.pdf Description: ONSEMI - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3S UJ4C075018K3S onsemi UJ4C075018K3S_D-3579199.pdf SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3S UJ4C075018K3S Qorvo UJ4C075018K3S_Data_Sheet-3177132.pdf SiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3S 3971371.pdf
UJ4C075018K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3S UJ4C075018K3S_D-3579199.pdf
UJ4C075018K3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3S UJ4C075018K3S_Data_Sheet-3177132.pdf
UJ4C075018K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.