Продукція > ONSEMI > UJ4C075018K4S
UJ4C075018K4S

UJ4C075018K4S ONSEMI

3971379.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1340.34 грн
5+1281.64 грн
10+1223.76 грн
50+1081.84 грн
100+861.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4C075018K4S ONSEMI

Description: ONSEMI - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ4C075018K4S за ціною від 869.34 грн до 1660.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S Виробник : Qorvo UJ4C075018K4S_Data_Sheet-3177194.pdf SiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1516.45 грн
25+1299.50 грн
100+974.86 грн
250+897.29 грн
600+870.04 грн
3000+869.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S Виробник : onsemi da008703 SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1565.36 грн
10+1002.15 грн
600+870.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S Виробник : Qorvo / UnitedSiC UJ4C075018K4S_Data_Sheet-3177194.pdf JFET 750V/18mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1660.75 грн
10+1505.23 грн
120+1104.14 грн
510+986.74 грн
1020+969.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S Виробник : onsemi da008703 Description: SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4S Виробник : ONSEMI da008703 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 750V; 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.