Продукція > QORVO > UJ4C075018K4S
UJ4C075018K4S

UJ4C075018K4S Qorvo

UJ4C075018K4S_Data_Sheet-3177194.pdf
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1498.04 грн
25+1283.72 грн
100+963.03 грн
250+886.40 грн
600+859.47 грн
3000+858.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4C075018K4S Qorvo

Description: ONSEMI - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 385W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm.

Інші пропозиції UJ4C075018K4S за ціною від 809.08 грн до 1640.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S ONSEMI 3971379.pdf Description: ONSEMI - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1547.17 грн
5+1275.75 грн
10+1004.33 грн
50+913.90 грн
100+826.34 грн
250+809.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S onsemi da008703 SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1622.07 грн
10+1013.01 грн
100+861.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S Qorvo / UnitedSiC UJ4C075018K4S_Data_Sheet-3177194.pdf JFET 750V/18mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1640.60 грн
10+1486.96 грн
120+1090.74 грн
510+974.76 грн
1020+957.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4S 3971379.pdf
UJ4C075018K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1547.17 грн
5+1275.75 грн
10+1004.33 грн
50+913.90 грн
100+826.34 грн
250+809.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4S da008703
UJ4C075018K4S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1622.07 грн
10+1013.01 грн
100+861.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S_Data_Sheet-3177194.pdf
UJ4C075018K4S
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
JFET 750V/18mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1640.60 грн
10+1486.96 грн
120+1090.74 грн
510+974.76 грн
1020+957.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.