Продукція > ONSEMI > UJ4C075023K4S
UJ4C075023K4S

UJ4C075023K4S onsemi


uj4c075023k4s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1032.96 грн
30+766.23 грн
120+719.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4C075023K4S onsemi

Description: QORVO - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ4C075023K4S за ціною від 747.45 грн до 1427.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ4C075023K4S UJ4C075023K4S Виробник : QORVO 3971380.pdf Description: QORVO - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1109.18 грн
5+1036.56 грн
10+963.93 грн
50+866.73 грн
100+774.59 грн
250+748.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4S UJ4C075023K4S Виробник : Qorvo UJ4C075023K4S_Data_Sheet-3177159.pdf SiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1302.89 грн
25+1116.76 грн
100+837.94 грн
250+748.19 грн
600+747.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4S UJ4C075023K4S Виробник : Qorvo / UnitedSiC UJ4C075023K4S_Data_Sheet-3177159.pdf JFET 750V/23mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1427.35 грн
10+1293.59 грн
120+949.77 грн
510+847.51 грн
1020+832.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.