UJ4C075023K4S onsemi
Виробник: onsemi
Description: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 885.48 грн |
| 30+ | 510.74 грн |
| 60+ | 469.98 грн |
| 120+ | 408.89 грн |
| 510+ | 359.72 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4C075023K4S onsemi
Description: ONSEMI - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ4C075023K4S за ціною від 398.57 грн до 1418.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ4C075023K4S | onsemi |
SiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247 |
на замовлення 770 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
UJ4C075023K4S | Qorvo |
SiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-4 |
на замовлення 933 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
UJ4C075023K4S | Qorvo / UnitedSiC |
JFET 750V/23mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
на замовлення 2088 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
UJ4C075023K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UJ4C075023K4S |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247
SiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247
на замовлення 770 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 905.26 грн |
| 10+ | 534.89 грн |
| 100+ | 398.57 грн |
| UJ4C075023K4S |
|
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-4
SiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 933 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1295.18 грн |
| 25+ | 1110.15 грн |
| 100+ | 832.98 грн |
| 250+ | 743.76 грн |
| 600+ | 743.03 грн |
| UJ4C075023K4S |
|
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
JFET 750V/23mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
JFET 750V/23mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1418.89 грн |
| 10+ | 1285.93 грн |
| 120+ | 944.14 грн |
| 510+ | 842.49 грн |
| 1020+ | 827.86 грн |
| UJ4C075023K4S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)