на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1270.87 грн |
| 25+ | 1088.64 грн |
| 100+ | 816.80 грн |
| 250+ | 751.88 грн |
| 500+ | 700.54 грн |
| 1000+ | 674.88 грн |
| 6000+ | 674.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4C075023L8S Qorvo
Description: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: TOLL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V.
Інші пропозиції UJ4C075023L8S за ціною від 902.00 грн до 1364.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ4C075023L8S | Виробник : onsemi |
 Description: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLLPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V |
на замовлення 1887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
UJ4C075023L8S | Виробник : onsemi |
Description: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |