| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 906.07 грн |
| 25+ | 775.63 грн |
| 100+ | 581.96 грн |
| 250+ | 520.52 грн |
| 600+ | 519.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4C075033K4S Qorvo
Description: ONSEMI - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 242W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm.
Інші пропозиції UJ4C075033K4S за ціною від 455.62 грн до 1112.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UJ4C075033K4S | onsemi |
Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, TPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V |
на замовлення 2732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
UJ4C075033K4S | Qorvo / UnitedSiC |
JFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
UJ4C075033K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 242W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm |
на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
UJ4C075033K4S | onsemi |
SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247-4 |
на замовлення 1036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| UJ4C075033K4S | ONN |
|
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| UJ4C075033K4S |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 2732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 987.10 грн |
| 30+ | 582.49 грн |
| 120+ | 501.91 грн |
| 510+ | 464.64 грн |
| UJ4C075033K4S |
![]() |
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
JFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
JFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 991.44 грн |
| 10+ | 898.69 грн |
| 120+ | 659.28 грн |
| 510+ | 588.86 грн |
| 1020+ | 578.51 грн |
| UJ4C075033K4S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
Description: ONSEMI - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1100.17 грн |
| 5+ | 892.38 грн |
| 10+ | 684.59 грн |
| 50+ | 584.83 грн |
| 100+ | 464.60 грн |
| 250+ | 455.62 грн |
| UJ4C075033K4S |
![]() |
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247-4
SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1112.25 грн |
| 10+ | 675.60 грн |
| 120+ | 544.68 грн |
| 510+ | 526.73 грн |
| UJ4C075033K4S |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





