UJ4C075033K4S ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 856.45 грн |
| 5+ | 839.24 грн |
| 10+ | 822.02 грн |
| 50+ | 747.32 грн |
| 100+ | 675.08 грн |
| 250+ | 661.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4C075033K4S ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 242W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ4C075033K4S за ціною від 577.78 грн до 1236.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ4C075033K4S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-4 |
на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UJ4C075033K4S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
JFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UJ4C075033K4S | Виробник : onsemi |
Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UJ4C075033K4S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247-4 |
на замовлення 1036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| UJ4C075033K4S | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 750V; 35A Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 750V Drain current: 35A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 242W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -25...25V On-state resistance: 75Ω Mounting: THT Gate charge: 37.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |