Продукція > QORVO > UJ4C075033K4S
UJ4C075033K4S

UJ4C075033K4S Qorvo

UJ4C075033K4S_Data_Sheet-3177179.pdf
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+972.30 грн
25+832.33 грн
100+624.49 грн
250+558.56 грн
600+557.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4C075033K4S Qorvo

Description: ONSEMI - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 242W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm.

Інші пропозиції UJ4C075033K4S за ціною від 484.22 грн до 1193.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S Qorvo / UnitedSiC UJ4C075033K4S_Data_Sheet-3177179.pdf JFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 496 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1063.91 грн
10+964.37 грн
120+707.46 грн
510+631.90 грн
1020+620.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S onsemi UJ4C075033K4S-D.PDF Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1166.50 грн
30+688.52 грн
60+636.75 грн
120+556.75 грн
510+484.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S onsemi UJ4C075033K4S-D.PDF SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1193.55 грн
10+724.98 грн
120+584.49 грн
510+565.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S ONSEMI 3971381.pdf Description: ONSEMI - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S_Data_Sheet-3177179.pdf
UJ4C075033K4S
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
JFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 496 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1063.91 грн
10+964.37 грн
120+707.46 грн
510+631.90 грн
1020+620.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S-D.PDF
UJ4C075033K4S
Виробник: onsemi
Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1166.50 грн
30+688.52 грн
60+636.75 грн
120+556.75 грн
510+484.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S-D.PDF
UJ4C075033K4S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1193.55 грн
10+724.98 грн
120+584.49 грн
510+565.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4S 3971381.pdf
UJ4C075033K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.