UJ4C075060K3S QORVO
Виробник: QORVODescription: QORVO - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 610.06 грн |
| 5+ | 583.72 грн |
| 10+ | 556.55 грн |
| 50+ | 492.33 грн |
| 100+ | 391.65 грн |
| 250+ | 371.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4C075060K3S QORVO
Description: QORVO - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 155W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ4C075060K3S за ціною від 409.52 грн до 936.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ4C075060K3S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 750V/60mO,SICFET,G4,TO247-3 |
на замовлення 2618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UJ4C075060K3S | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V |
на замовлення 14453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|