Продукція > QORVO > UJ4C075060K3S
UJ4C075060K3S

UJ4C075060K3S Qorvo

UJ4C075060K3S_Data_Sheet-3177218.pdf
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/60mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+714.99 грн
25+613.11 грн
100+460.00 грн
250+411.01 грн
1200+410.27 грн
3000+408.81 грн
5400+408.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4C075060K3S Qorvo

Description: ONSEMI - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 155W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ4C075060K3S за ціною від 454.88 грн до 1136.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UJ4C075060K3S UJ4C075060K3S onsemi UJ4C075060K3S-D.PDF Description: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 14011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1107.62 грн
30+650.82 грн
60+601.42 грн
120+525.43 грн
510+480.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3S UJ4C075060K3S onsemi UJ4C075060K3S-D.PDF SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1136.48 грн
10+667.77 грн
100+494.38 грн
600+454.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3S UJ4C075060K3S ONSEMI UJ4C075060K3S-D.PDF Description: ONSEMI - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3S UJ4C075060K3S-D.PDF
UJ4C075060K3S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 14011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1107.62 грн
30+650.82 грн
60+601.42 грн
120+525.43 грн
510+480.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3S UJ4C075060K3S-D.PDF
UJ4C075060K3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1136.48 грн
10+667.77 грн
100+494.38 грн
600+454.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3S UJ4C075060K3S-D.PDF
UJ4C075060K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.