на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 750.17 грн |
| 25+ | 643.27 грн |
| 100+ | 482.63 грн |
| 250+ | 431.22 грн |
| 1200+ | 430.46 грн |
| 3000+ | 428.92 грн |
| 5400+ | 428.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4C075060K3S Qorvo
Description: ONSEMI - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 155W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ4C075060K3S за ціною від 439.34 грн до 1055.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ4C075060K3S | Виробник : onsemi |
 SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-3 |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
UJ4C075060K3S | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V |
на замовлення 14453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
UJ4C075060K3S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 155W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|