UJ4C075060K4S onsemi
Виробник: onsemiDescription: SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 945.87 грн |
| 30+ | 552.58 грн |
| 120+ | 513.28 грн |
| 510+ | 429.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4C075060K4S onsemi
Description: ONSEMI - UJ4C075060K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 155W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ4C075060K4S за ціною від 479.59 грн до 1097.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ4C075060K4S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-4 |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UJ4C075060K4S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ4C075060K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 155W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UJ4C075060K4S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| UJ4C075060K4S | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 750V; 20.6A Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 750V Drain current: 20.6A Pulsed drain current: 62A Power dissipation: 155W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -25...25V On-state resistance: 147mΩ Mounting: THT Gate charge: 37.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |