Продукція > ONSEMI > UJ4SC075006K4S
UJ4SC075006K4S

UJ4SC075006K4S onsemi


uj4sc075006k4s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 1039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3987.01 грн
30+2919.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4SC075006K4S onsemi

Description: QORVO - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ4SC075006K4S за ціною від 2424.07 грн до 7254.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S Виробник : Qorvo UJ4SC075006K4S_Data_Sheet-3177190.pdf SiC MOSFETs 750V/6mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4222.81 грн
25+3618.49 грн
100+2714.67 грн
250+2499.85 грн
600+2424.81 грн
3000+2424.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S Виробник : UnitedSiC uj4sc075006k4s-d.pdf JFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6034.68 грн
10+5587.21 грн
30+4702.48 грн
120+4356.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S Виробник : QORVO 3971376.pdf Description: QORVO - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7079.29 грн
5+6194.58 грн
10+5132.44 грн
50+4273.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S Виробник : Qorvo / UnitedSiC UJ4SC075006K4S_Data_Sheet-3177190.pdf JFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7254.31 грн
30+5538.99 грн
120+3846.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.