UJ4SC075006K4S onsemi
Виробник: onsemi
Description: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3477.76 грн |
| 30+ | 2408.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4SC075006K4S onsemi
Description: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ4SC075006K4S за ціною від 2274.67 грн до 6807.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ4SC075006K4S | onsemi |
SiC MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-4 |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UJ4SC075006K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UJ4SC075006K4S | Qorvo |
SiC MOSFETs 750V/6mO,SICFET,G4,TO247-4 |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UJ4SC075006K4S | UnitedSiC |
JFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
UJ4SC075006K4S | Qorvo / UnitedSiC |
JFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
на замовлення 656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| UJ4SC075006K4S |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-4
SiC MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3591.27 грн |
| 10+ | 2647.63 грн |
| UJ4SC075006K4S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3613.82 грн |
| 5+ | 3542.14 грн |
| 10+ | 3469.65 грн |
| 50+ | 3155.26 грн |
| UJ4SC075006K4S |
|
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/6mO,SICFET,G4,TO247-4
SiC MOSFETs 750V/6mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3962.56 грн |
| 25+ | 3395.48 грн |
| 100+ | 2547.36 грн |
| 250+ | 2345.78 грн |
| 600+ | 2275.36 грн |
| 3000+ | 2274.67 грн |
| UJ4SC075006K4S |
|
Виробник: UnitedSiC
JFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
JFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5662.75 грн |
| 10+ | 5242.86 грн |
| 30+ | 4412.66 грн |
| 120+ | 4088.20 грн |
| UJ4SC075006K4S |
|
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
JFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
JFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6807.22 грн |
| 30+ | 5197.61 грн |
| 120+ | 3609.79 грн |