
UJ4SC075006K4S onsemi

Description: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3987.01 грн |
30+ | 2919.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4SC075006K4S onsemi
Description: QORVO - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ4SC075006K4S за ціною від 2424.07 грн до 7254.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
UJ4SC075006K4S | Виробник : Qorvo |
![]() |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UJ4SC075006K4S | Виробник : UnitedSiC |
![]() |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UJ4SC075006K4S | Виробник : QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UJ4SC075006K4S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
![]() |
на замовлення 656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|