UJ4SC075006K4S onsemi
Виробник: onsemiDescription: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3953.07 грн |
| 30+ | 2894.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4SC075006K4S onsemi
Description: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ4SC075006K4S за ціною від 2521.72 грн до 7546.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ4SC075006K4S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-4 |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UJ4SC075006K4S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 750V/6mO,SICFET,G4,TO247-4 |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UJ4SC075006K4S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UJ4SC075006K4S | Виробник : UnitedSiC |
JFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
UJ4SC075006K4S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
JFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
на замовлення 656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|