Продукція > ONSEMI > UJ4SC075009B7S
UJ4SC075009B7S

UJ4SC075009B7S onsemi

UJ4SC075009B7S-D.PDF Виробник: onsemi
Description: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1659.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4SC075009B7S onsemi

Description: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V.

Інші пропозиції UJ4SC075009B7S за ціною від 1598.83 грн до 3961.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S Виробник : onsemi UJ4SC075009B7S-D.PDF Description: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2300.59 грн
10+1755.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S Виробник : onsemi UJ4SC075009B7S_D-3579659.pdf SiC MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2652.07 грн
10+2230.74 грн
100+1746.77 грн
500+1696.46 грн
800+1598.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S Виробник : UnitedSiC DS_UJ4SC075009B7S-3000909.pdf JFET
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3208.42 грн
10+2917.32 грн
100+2166.57 грн
500+2075.70 грн
800+2006.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S Виробник : Qorvo / UnitedSiC UJ4SC075009B7S_Data_Sheet-3177140.pdf JFET
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3686.80 грн
10+3352.59 грн
100+2489.49 грн
500+2384.35 грн
800+2305.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S Виробник : Qorvo UJ4SC075009B7S_Data_Sheet-3177140.pdf SiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3783.17 грн
25+3290.40 грн
100+2480.48 грн
250+2098.23 грн
500+2036.65 грн
800+1908.23 грн
2400+1907.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S Виробник : QORVO 3971384.pdf Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3961.16 грн
5+3465.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S Виробник : United Silicon Carbide ds_uj4sc075009b7s.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 750V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.