UJ4SC075009B7S onsemi
Виробник: onsemiDescription: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 1674.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4SC075009B7S onsemi
Description: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V.
Інші пропозиції UJ4SC075009B7S за ціною від 1613.73 грн до 3998.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UJ4SC075009B7S | Виробник : onsemi |
Description: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UJ4SC075009B7S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO263-7 |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UJ4SC075009B7S | Виробник : UnitedSiC |
JFET |
на замовлення 382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UJ4SC075009B7S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
JFET |
на замовлення 1071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UJ4SC075009B7S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO263-7 |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UJ4SC075009B7S | Виробник : QORVO |
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| UJ4SC075009B7S | Виробник : United Silicon Carbide |
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |