на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2562.69 грн |
| 25+ | 2381.73 грн |
| 100+ | 2065.02 грн |
| 250+ | 2037.04 грн |
| 600+ | 2029.48 грн |
| 1200+ | 2024.19 грн |
| 3000+ | 2019.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4SC075009K4S Qorvo
Description: ONSEMI - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ4SC075009K4S за ціною від 1861.29 грн до 3606.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ4SC075009K4S | Виробник : onsemi |
 Description: 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODEPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UJ4SC075009K4S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
UJ4SC075009K4S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
JFET 750V/9mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
на замовлення 474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|