Продукція > QORVO > UJ4SC075011B7S
UJ4SC075011B7S

UJ4SC075011B7S QORVO

uj4sc075011b7s-d.pdf Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075011B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1877.14 грн
5+1868.66 грн
10+1859.33 грн
50+1718.65 грн
100+1578.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4SC075011B7S QORVO

Description: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V.

Інші пропозиції UJ4SC075011B7S за ціною від 1215.88 грн до 2989.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ4SC075011B7S UJ4SC075011B7S Виробник : onsemi uj4sc075011b7s-d.pdf Description: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2215.80 грн
10+1602.15 грн
100+1375.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7S UJ4SC075011B7S Виробник : Qorvo / UnitedSiC UJ4SC075011B7S_Data_Sheet-3177205.pdf JFET
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2856.45 грн
25+2596.51 грн
250+1928.16 грн
800+1927.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7S UJ4SC075011B7S Виробник : Qorvo UJ4SC075011B7S_Data_Sheet-3177205.pdf SiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2989.66 грн
25+2600.86 грн
100+1959.92 грн
250+1658.22 грн
500+1508.50 грн
800+1282.42 грн
2400+1215.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7S UJ4SC075011B7S Виробник : onsemi uj4sc075011b7s-d.pdf Description: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.