UJ4SC075011K4S onsemi
Виробник: onsemiDescription: 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1342.88 грн |
| 30+ | 813.55 грн |
| 120+ | 733.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4SC075011K4S onsemi
Description: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ4SC075011K4S за ціною від 1215.28 грн до 2795.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ4SC075011K4S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO247-4 |
на замовлення 541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UJ4SC075011K4S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UJ4SC075011K4S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247-4 |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UJ4SC075011K4S | Виробник : UnitedSiC |
JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
на замовлення 868 шт: термін постачання 426-435 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
UJ4SC075011K4S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|