Продукція > ONSEMI > UJ4SC075011K4S
UJ4SC075011K4S

UJ4SC075011K4S onsemi


uj4sc075011k4s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2177.02 грн
30+1400.42 грн
120+1398.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4SC075011K4S onsemi

Description: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ4SC075011K4S за ціною від 1287.18 грн до 3025.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S Виробник : Qorvo UJ4SC075011K4S_Data_Sheet-3177195.pdf SiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2241.43 грн
25+1919.56 грн
100+1442.05 грн
250+1417.90 грн
600+1417.15 грн
3000+1416.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S Виробник : ONSEMI uj4sc075011k4s-d.pdf Description: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2329.60 грн
5+2212.78 грн
10+1975.76 грн
50+1614.54 грн
100+1287.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S Виробник : onsemi UJ4SC075011K4S_D-3578958.pdf SiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2517.86 грн
10+2432.43 грн
30+1438.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S Виробник : UnitedSiC uj4sc075011k4s-d.pdf JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 868 шт:
термін постачання 426-435 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2910.51 грн
10+2645.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S Виробник : Qorvo / UnitedSiC UJ4SC075011K4S_Data_Sheet-3177195.pdf JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3025.84 грн
30+2751.78 грн
120+2392.10 грн
270+2041.96 грн
1020+1956.69 грн
2520+1892.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.