Продукція > ONSEMI > UJ4SC075011K4S
UJ4SC075011K4S

UJ4SC075011K4S onsemi

UJ4SC075011K4S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1329.60 грн
30+805.51 грн
120+726.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4SC075011K4S onsemi

Description: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 357W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm.

Інші пропозиції UJ4SC075011K4S за ціною від 1295.77 грн до 2802.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S Qorvo UJ4SC075011K4S_Data_Sheet-3177195.pdf SiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2050.54 грн
25+1756.09 грн
100+1319.24 грн
250+1297.15 грн
600+1296.46 грн
3000+1295.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S onsemi UJ4SC075011K4S_D-3578958.pdf SiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2303.44 грн
10+2225.28 грн
30+1315.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S UnitedSiC UJ4SC075011K4S-D.PDF JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 868 шт:
термін постачання 426-435 дні (днів)
1+2662.64 грн
10+2420.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S Qorvo / UnitedSiC UJ4SC075011K4S_Data_Sheet-3177195.pdf JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2768.15 грн
30+2517.43 грн
120+2188.38 грн
270+1868.06 грн
1020+1790.05 грн
2520+1731.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S ONSEMI UJ4SC075011K4S-D.PDF Description: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2802.78 грн
5+2452.44 грн
10+2032.02 грн
50+1691.68 грн
100+1441.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S_Data_Sheet-3177195.pdf
UJ4SC075011K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2050.54 грн
25+1756.09 грн
100+1319.24 грн
250+1297.15 грн
600+1296.46 грн
3000+1295.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S_D-3578958.pdf
UJ4SC075011K4S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2303.44 грн
10+2225.28 грн
30+1315.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S-D.PDF
UJ4SC075011K4S
Виробник: UnitedSiC
JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 868 шт:
термін постачання 426-435 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2662.64 грн
10+2420.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S_Data_Sheet-3177195.pdf
UJ4SC075011K4S
Виробник: Qorvo / UnitedSiC
JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2768.15 грн
30+2517.43 грн
120+2188.38 грн
270+1868.06 грн
1020+1790.05 грн
2520+1731.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S-D.PDF
UJ4SC075011K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2802.78 грн
5+2452.44 грн
10+2032.02 грн
50+1691.68 грн
100+1441.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.