Продукція > ONSEMI > UJ4SC075018B7S
UJ4SC075018B7S

UJ4SC075018B7S onsemi

UJ4SC075018B7S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+817.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4SC075018B7S onsemi

Description: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V, Power Dissipation (Max): 259W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V.

Інші пропозиції UJ4SC075018B7S за ціною від 847.20 грн до 1730.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S onsemi UJ4SC075018B7S-D.PDF Description: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 13763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1423.31 грн
10+984.99 грн
100+963.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S onsemi UJ4SC075018B7S-D.PDF SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1730.11 грн
10+1274.18 грн
100+958.56 грн
500+924.73 грн
800+847.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S-D.PDF
UJ4SC075018B7S
Виробник: onsemi
Description: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 13763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1423.31 грн
10+984.99 грн
100+963.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S-D.PDF
UJ4SC075018B7S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1730.11 грн
10+1274.18 грн
100+958.56 грн
500+924.73 грн
800+847.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.