Продукція > QORVO > UJ4SC075018L8S
UJ4SC075018L8S

UJ4SC075018L8S Qorvo

DS_UJ4SC075018L8S.pdf Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1197.19 грн
25+1017.63 грн
100+882.37 грн
250+785.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4SC075018L8S Qorvo

Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 349W, Bauform - Transistor: MO-299, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ4SC075018L8S за ціною від 722.90 грн до 1552.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S Виробник : QORVO 3971391.pdf Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1257.17 грн
5+1236.59 грн
10+1216.83 грн
50+1110.80 грн
100+1008.42 грн
250+990.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S Виробник : onsemi UJ4SC075018L8S_Data_Sheet-3555155.pdf SiC MOSFETs UJ4SC075018L8S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1329.72 грн
25+1139.39 грн
100+855.00 грн
250+787.48 грн
500+734.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S Виробник : Qorvo UJ4SC075018L8S_Data_Sheet-3177219.pdf MOSFET 750V/18mO,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1552.34 грн
25+1351.24 грн
100+1018.67 грн
250+863.08 грн
500+803.63 грн
4000+778.68 грн
10000+722.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S Виробник : Qorvo DS_UJ4SC075018L8S.pdf Description: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.