Продукція > QORVO > UJ4SC075018L8S
UJ4SC075018L8S

UJ4SC075018L8S Qorvo

DS_UJ4SC075018L8S.pdf Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1236.45 грн
25+1051.00 грн
100+911.30 грн
250+811.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4SC075018L8S Qorvo

Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 349W, Bauform - Transistor: MO-299, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UJ4SC075018L8S за ціною від 746.61 грн до 1603.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S Виробник : QORVO 3971391.pdf Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1298.40 грн
5+1277.14 грн
10+1256.73 грн
50+1147.23 грн
100+1041.49 грн
250+1023.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S Виробник : onsemi UJ4SC075018L8S_Data_Sheet-3555155.pdf SiC MOSFETs UJ4SC075018L8S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1373.33 грн
25+1176.76 грн
100+883.04 грн
250+813.31 грн
500+758.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S Виробник : Qorvo UJ4SC075018L8S_Data_Sheet-3177219.pdf MOSFET 750V/18mO,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1603.25 грн
25+1395.55 грн
100+1052.07 грн
250+891.38 грн
500+829.98 грн
4000+804.21 грн
10000+746.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S Виробник : Qorvo DS_UJ4SC075018L8S.pdf Description: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.