UJ4SC075018L8S onsemi
Виробник: onsemiDescription: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 828.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4SC075018L8S onsemi
Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 349W, Bauform - Transistor: MO-299, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ4SC075018L8S за ціною від 779.15 грн до 1673.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ4SC075018L8S | Виробник : QORVO |
Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: MO-299 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UJ4SC075018L8S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs UJ4SC075018L8S |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UJ4SC075018L8S | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 750V 53A TOLL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V |
на замовлення 33210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UJ4SC075018L8S | Виробник : Qorvo |
MOSFET 750V/18mO,SICFET,G4,TOLL |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|